Крупнейший европейский производитель полупроводников компания STMicroelectronics продолжает наращивать мощности на направлении силовых решений. На переднем крае борьбы за рынок силовых полупроводников вращаются технологии по выпуску компонентов из нитрида галлия и карбида кремния. На днях STMicroelectronics выкупила долю в компании Exagan, которая специализируется на производстве GaN-электроники.
Компания Exagan была организована в 2014 году как совместное предприятие французского исследовательского центра CEA-Leti и компании Soitec. Головные офисы и центры исследований Exagan расположены в Тулузе и французском Гренобле. Там же есть офисы и производства компании STMicroelectronics, так что интеграция не потребует значительных усилий. Свою долю в Exagan компании STMicro продал институт CEA-Leti. Компания Soitec сохранила за собой принадлежащий ей пакет акций Exagan. Добавим, сумма и условия сделки не раскрываются.
Элементы на основе нитрида галлия (как и на основе карбида кремния) относятся к так называемым полупроводникам с широкой запрещённой зоной или широкозонным. Эффективность инверторов на широкозонных компонентах достигает 98–99 %, чего невозможно добиться с помощью компонентов на обычном кремнии. Это означает, что блоки питания для электромобилей, смартфонов и другой электроники станут компактнее и холоднее, что, в свою очередь, облегчит и уменьшит конструкцию систем отвода тепла. Для мира будущего от солнечных ферм до электромобилей и носимой электроники ― это существенный плюс и даже насущная необходимость.
Надо сказать, что STMicroelectronics взяла разгон в области силовых компонентов на основе широкозонных полупроводников. Месяц назад, например, она выбрала своим субподрядчиков по производству интегрированных и дискретных силовых компонентов тайваньскую компанию TSMC. Это определённо поможет STMicroelectronics начать подминать под себя долю конкурентов в этой области, например, долю компании Infineon.